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MEMS封装可靠性测试规范doc

发布时间:2019-08-20 03:04 来源:未知 编辑:admin

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  MEMS封装可靠性测试规范MEMS封装可靠性测试规范华中科技大学微系统中心MEMS封装可靠性测试规范引言MEMS概念微光机电系统(MicroElectroMechanicalSystemsMEMS)以下简称MEMS。MEMS是融合了硅微加工、LIGA(光刻、电铸和塑铸)和精密机械加工等多种微加工技术并应用现代信息技术构成的微型系统。它在微电子技术的基础上发展起来的但又区别于微电子技术。它包括感知外界信息(力、热、光、磁、电、声等)的传感器和控制对象的执行器以及进行信号处理和控制的电路。MEMS器件和传统的机器相比具有体积小、重量轻、耗能低、温升小、工作速度快、成本低、功能强、性能好等特点。MEMS封装可靠性测试规范所含范围本可靠性测试规范涉及到在MEMS封装工艺中的贴片(包括倒装焊、载带自动焊)、引线键合、封盖等几个重要工艺的可靠性测试。每步工艺的测试项目可根据具体器件要求选用。贴片工艺测试贴片工艺测试要求贴片工艺是将芯片用胶接或焊接的方式连接到基座上的工艺过程。胶接或焊接的质量要受到加工环境与工作环境的影响因此要对胶接或焊接的质量与可靠性进行测试。胶接或焊接处表面应均匀连接无气孔不起皮无裂纹内部无空洞并能承受一定的疲劳强度。在热循环、热冲击、机械冲击、振动、恒定加速度等环境工作时芯片与基座应连接牢固不能产生过大的热应力。芯片与基座无裂纹。贴片工艺测试项目测试项目测试说明失效判据外部目检外观缺陷倍放大镜检查芯片剪切强度大于最小剪切强度加力方向应与衬底表面方向平行芯片与基座的附拉力方向应与衬底表面方向垂直大于最小抗拉力着强度芯片与基座连接沿横截面贴光栅用云纹干涉仪来测应变大于,其应力应变场处的应力应变检测焊点或胶接处内部的空隙X射线照相空隙长度和宽度小于接触面积的,芯片脱离、有裂纹高温高湿、,RH、h芯片脱离、有裂纹恒定加速度一般g一般g、ms芯片脱离、有裂纹机械冲击一般,、次温度循环芯片脱离、有裂纹一般,、minsec热冲击芯片脱离、有裂纹一般,Hzg芯片脱离、有裂纹扫频振动沿芯片表面法线方向无冲击地拉芯片小于最小外加应力倒装片拉脱试验引线键合工艺测试要求引线键合工艺是用金或铝线将芯片上的信号引出到封装外壳的管脚上的工艺过程。引线和两焊点的质量要受到加工环境与工作环境的影响因此要对引线键合的质量与可靠性进行测试。要求用倍的放大镜进行外观检查主要检查两键合点的形状、最小尺寸小于其支撑物的尺寸)f(不合适的间隙可接受的器件内部应有一定间隙以保证芯片之间或芯片和外壳之间接触。不允许跨接。不同类型封装器件的拒收情况如下所示:()扁平封装和双列直插封装(a)接触或跨接其他引线或键合点的任何引线(仅Y平面)(b)偏离从键合点到外引线间的直线并与另外键合间距离小于mm的任何引线(仅Y平面)(c)引线虽未偏离从键合点到外引线间的直线但表现出接触到另一引线或键合点(仅Y平面)(d)引线与不应接触的外壳或外引线相碰或它们之间距离小于mm(适用于X和Y平面)(e)键合点与另一键合点之间距离不到mm(不包括由公共导体连接的键合点)(仅适用于Y平面)(f)内引线从芯片键合点到封装外引线键合区为直线状而没有弧度(g)内引线下垂部分低于芯片键合点顶部所在的假想平面(仅X平面)。由设计所要求的除外。()圆形或方形晶体管式封装。(a)引线与不应接触的外壳或外引线相碰或它们之间距离小于mm(用于X和Y平面)(b)内引线下垂部分低于芯片键合点顶部所在的假想平面(仅X平面)有设计要求的除外(c)引线接触或跨接其他引线或键合点(仅Y平面)(d)内引线偏离由键合点到外引线之间的直线表现出与其他内引线或键合点接触或其间距离小于mm(仅适于Y平面)。(e)键合点与另外键合点之间的距离小于mm(不包括由公共导体连接的键合点)。(f)从芯片键合点到封装外引线键合区之间的内引线为直线状没有弧度。按设计要求的例外(例如线夹或固定式的连接引线)(g)引线柱与垂直方向(或预定的设计位置)的偏离大于,或者在长度和结构上不均匀或者与另外引线柱之间的距离小于一个引线柱的直径(h)在采用T型矮帽外壳引线柱与外壳顶部的距离不到外壳内部底座与顶之间总尺寸的,。在具有芯片与底座相垂直的器件中芯片离底座或外壳任一部分的距离不到mm。(i)在外壳底座设计中未考虑采用底座边缘或其他结构(如“挡环”)以防止低温焊或熔焊溅沫进入壳内。芯片剪切强度目的本试验的目的是确定微机械电子芯片贴在管座或其他基片上的强度。该强度与对芯片所加力的大小、观测在该力作用下产生的失效类型(如果出现失效)以及残留的芯片附着材料和基片,管座金属层的外形有关。设备本试验所需设备是一台能施加负载的仪器要求其准确度达到满刻度的,或N(取其较大者)一台带有杠杆臂的圆形测力计或线性运动加力仪。试验设备应具有下述能力:a(芯片接触工具能把力均匀地加到芯片的一条棱边b(保证芯片接触工具与管座或衬底上安放芯片的平面垂直c(芯片接触工具与管座,基片夹具具有相对旋转能力这有利于与芯片边沿线接触即对芯片加力的工具应从一端到另一端接触芯片的整个边沿d(一台放大倍数至少为倍的双目显微镜其照明应有利于在试验过程中对芯片与芯片接触工具的界面进行观察。程序除特殊的器件结构在规定试验条件外应按本规定进行试验。所有的芯片强度试验都应参与统计并且适用时应遵循规定的抽样、接收或追加样品的规定。剪切强度采用上述设备对芯片施加力。该力应足以能把芯片从固定位置上剪切下来或等于规定的最小剪切强度的两倍取其第一个出现的值。a(当采用一台线性运动加力仪时加力方向应与管座或衬底平面平行并与被试验的芯片垂直。b(当采用一台带有杠杆臂的圆形测力计施加试验所需要的作用力时它应能围绕杠杆臂轴转动。其运动方向与管座或衬底平面平行并与待试验的芯片边沿垂直。与杠杆臂相连的接触工具应位于适当距离上以保证外加力的准确数值。c(芯片接触工具应在与固定芯片的管座或衬底基座近似成,的芯片边沿施加负载。d(在与芯片边沿开始接触之后以及在加力期间接触工具的相对位置不得垂直移动以保证与管座,基片或芯片附着材料一直保持接触。如果芯片接触工具位于芯片上面可换用一个新的芯片或重新对准芯片只要c的要求得到满足。失效判据达不到以下任一条判据的器件均应视为失效:a达不到所表示的最小芯片强度要求当芯片面积小于mm时为N当芯片面积大于mm时为N当芯片面积在mm和mm两者之间时最小芯片强度为芯片面积的倍。b(使芯片与底座脱离时施加的力小于最小强度的倍同时底座上保留有芯片附着材料痕迹的区域小于附着区面积的,c(使芯片与底座脱离时施加的力小于最小强度的倍同时底座上保留有芯片附着材料痕迹的区域小于附着区面积的,。芯片脱离的类别应记录使芯片从底座上脱离时所加力的大小和脱离的类别。a(芯片被剪切掉底座上残留有硅碎片b(芯片与芯片附着材料脱离c(芯片与芯片附着材料一起脱离底座。芯片粘结的超声检测目的本检验的目的是通过声学连续性测量实现非破坏性地检测微机械电子器件芯片粘结材料中的未粘附区域和空洞。它为微机械电子器件的超声检测规定了方法和判据。设备a超声成像设备b输出装置c超声检测器程序应根据需要选择或调整超声发生器、接收器和行扫描记录仪的配置(使用时)以便对器件和试验所要检测的缺陷特性的灵敏度要求之内得到满意的图像并获得最多的图像细节。在反射模式或传输模式图像的情况下必须注意确保超声穿透整个芯片粘结界面并对其敏感。检测和接收数据在器件检验中下列情况应被看作是不可接收的芯片安装因此表现出下列缺陷的器件应被拒收。空隙:当用超声图示器件时某些种类的安装材料可能不会给出空隙的真正表示。检测此类器件时应在检测报告中注明采用的安装。接触区多个空隙总和超过应该具有的总接触区的面积的,ab超过预计接触区,的单个空隙或超过总预计接触区,的单个拐角空隙当用平分两对边方法把图像分成四个面积相等的象限时某一接触区中的空隙超过了该象c限预计的接触区面积的,在有争议的情况下空隙的百分比应由对图像的实际测量来确定。非破坏性键合拉力试验目的本方法的目的是在避免损坏合格引线键合的同时揭示出不合格的引线键合。本方法对超声或热压工艺形成的键合都适用直径大于μm(或等效截面积)且没有足够空间使用钩子的引线除外。设备本试验设备应包括能将试验条件要求的应力加到键、引线或引线端的装置。该装置应提供校准测量和以N为单位指示所加应力其测量应力能达到规定极限值的两倍测量精度为土,或×N取其大值。a(通常用钩子把力加到互连内引线上所用钩子与引线的直径关系应如下:引线直径(μm)钩子直径(引线直径的倍数)d最少倍d最少倍d最少倍对于带状引线采用与被试验带状引线截面积相同的等效圆形引线直径值。钩子的水平部分应大于等于被试验引线直径的倍。b(钩应光滑没有缺陷否则会影响试验结果或损坏被拉引线。c(应控制钩的移动速度使钩开始接触引线时产生的冲击力不应超过规定的非破坏性键合拉力的,。d(安放钩子时至少放大倍来观察以便完成钩子的最后定位可以使用有变焦距功能的显微镜来检查钩的位置。e(固定管座的夹具应能与钩子对准以利于对引线施加最佳应力。f(指示仪应能测量使互连引线失效所需的力或能表明所加的负载力已符合预定的要求。g(钩子应处在一个固定位置使钩子沿着在键合点之间直线方向上的运动受到限制钩子不会上升到最高位置否则试验只是对一个键合点进行(例如对一个球形键合)。程序应按适用采购文件的规定进行试验该试验可作为抽样或筛选进行。该试验条件应随键合材料和结构而变化。应对每个器件的全部键合引线进行拉力试验和计数并且应遵守规定的抽样、接收和追加样品的条款(如果采用)。如果在引线表面和引线下面或引线周围有任何附着剂、密封剂或其他材料从而增加键的视在强度时应在使用这些材料以前进行试验。a(设置外加力额定值。b(固定被试样品调节上升装置根据引线的尺寸和材料施加规定的应力。c(转动器件到合适位置使钩子在引线中点和引线弯曲最高点之间与引线接触(对正V形和球形键应在中点和管芯边缘之间对逆向键应在中点和封壳边缘之间)。拉力方向大致垂直于管芯或衬底或大致与键合点之间直线垂直。承制方应尽量接近中间拉不要引起对引线有害的变形。d(驱动上升装置使键合引线受力在施加规定应力时应使产生的冲击力尽量小在整个拉键试验过程中指示仪显示的冲力不应超过仪器的规定精度。施加应力的最长时间不得超过se观察键是否断裂。f(如键断裂剔除该器件(除允许返工的器件例外)继续检验下一个器件。若健断裂要记下断裂键的号码和含有此键器件的标志。如果允许返工应在键返工以前试验其他所有健返工后的键也要再经试验。g(如果器件上的键都不断裂可以满意地接收该器件。h(对全部被试键重复a,g的步骤。i(记下在预定应力下试验而失效的引线或失效键的总数j(记下未通过试验的器件数。(失效判据在外加应力小于规定应力(按采用的材料和结构来规定应力)时如果被拉的键发生分离(在键合面上出现键的分离或与整个键合区相连的任一位置出现键分离或引线发生断裂)这样的键为失效。若无其他规定外加非破坏性拉力应是密封前最小键合强度的,下表列出了通常使用的内引线所对应的拉力值。铝和金引线直径(μm)拉力(gf)铝金玻璃熔封封装盖板的扭矩试验目的本试验的目的是确定玻璃熔封的MEMS封装的抗剪强度这是一种破坏性试验。设备试验设备应包括合适的固定式或可调节式夹具以及当扭矩加到密封区时固定器件的装置。扭转机构和固定装置应能支撑封装基座和盖板以便保证扭矩主要是加在密封区而被试器件的外壳没有明显的弯曲、翘起和移动(特别是对扁平封装片式载体封装和其他薄形封装)。可采用扭转扳手或扭转机构把扭矩加到盖板上该机构至少能把Nm的扭矩加到盖板上。还应有一个测量精度和准确度为,或Nm(取较大者)的测力仪。对于密封面积较小的封壳应使用足以使封壳分离的扭转扳手或扭转机构测量的精度和准确度为,或Nm(取较大者)以便更精确地读数。扭转机构应有峰值指示器以便记录所加的最大应力或具有其他等效的应力记录系统。程序试验时固定器件的基座扭矩加在器件盖板上也可以固定封盖扭矩加在基座上。安装盖板的扭转装置是为了保证扭矩只是加在封装盖板、基座或其间垫层的侧面避免接触密封玻璃。盖板扭转装置可以接触封装外引线但不能让大部分转矩直接通过外引线而转移。扭矩应逐渐平缓地施加直到封装发生分离或达到Nm的极限扭矩为止。记录分离封装所需要的扭矩或达到Nm的极限扭矩。施加扭矩时应使旋转轴与密封区平面垂直且位于密封区的中心。失效判据在扭矩值低于表中的规定值时若密封层发生分离、破裂器件就定为失效。如果整个封装(盖板、密封圈和基座)在与施加扭矩的平面垂直方向上都发生分裂(这是施加扭矩不合适的证据)而盖板和基座部分仍然在一起可以去除这次试验结果不计入失效重取一个样品来完成所需要做的试验。设计的封口面积(cm)扭矩(Nm),,,,,,,~~~芯片与基座的附着强度目的本试验的目的是确定MEMS器件在垂直芯片表面方向受到力时芯片粘附系统的强度。本方法适用于有机材料作为粘附剂把芯片固定在管座或基座上用于对贴片工艺质量的控制。设备试验设备应包括抗拉强度试验台该试验台应能提供的力为MPa乘以最大被测芯片面积其准确度为,或N(取较小者)。试验设备应具有下述能力:a(可互换的芯片接触工具每次试验接触面范围应是被试管芯面积的,,,b(应有保证芯片接触工具与管座或基座平面垂直固定的措施c(芯片接触工具和管座,基座固定装置之间能旋转。程序在芯片接触工具上放一点快速凝固的粘结剂然后与芯片表面接触。在粘结剂充分固化后再使样品承受规定的垂直拉力。作用力利用本方法所述设备对芯片加力此力要足以把芯片从底座上拉下来或是拉力达到规定的最小抗拉力的两倍(取第一个出现的力)。失效判据如在低于两倍的最小抗拉力下芯片表面与芯片接触工具之间发生分离此试验不判该样品是合格还是失效。当芯片从管座或基片上被拉起在下述条件时判为失效:a(在低于芯片最小抗拉力(倍)下发生分离最小抗拉力y(N)与芯片面积x(cm)的关系:y(N),(lg(x)),b(在低于芯片最小抗拉力的倍时发生分离且在管芯粘结剂与芯片之间或粘结剂与管座,基座之间的界面上没有明显的附着痕迹。最小抗拉力y(N)与芯片面积x(cm)的关系:y(N),(lg(x)),密封试验目的本试验的目的在于确定具有内空腔的MEMS器件封装的气密性。设备适用于不同试验条件的密封试验所需设备应按相关条款的规定。试验条件A,示踪气体氦(He)细检漏按本条件进行试验所需设备包括合适的压力室、真空室和一台质谱检漏仪。该质谱检漏仪应经过适当的预置和校准使其灵敏度达到足以读出小于等于Pacms的氦漏率。用于测量漏率的工作室体积应根据实际情况尽量保持最小因为该体积过大对灵敏度极限值会产生不利的影响。应该在每个工作班次期间至少用经校准的扩散型标准漏孔校准一次检漏仪的指示器。试验条件B,碳氟化合物粗检漏按本条件进行试验所需的设备为:a真空压力室用于抽真空及随后加压能使器件受到kPa的压力作用达小时。b能保持指示用的液体温度在并适用于观察的容器以及一套能把尺寸大于μm的粒子从液体中除去的过滤系统。c,倍的放大镜。当器件浸入指示用的液体中时能用该放大镜观察到从该器件中冒出的气泡。d表所用的检测用型液体和指示用型液体。e光源:它在空气中能在距离等于容器中离光源最远的器件与光源之间的距离的位置处产生大于等于m烛光的亮度。光源不需要校准。但光源在观察位置上(即在观察气泡时放置被侧器件的位置上)产生的亮度应受到验证。f指示试验温度、压力和时间是否符合规定的已校准过的合适的仪器。g使器件浸入指示液中的合适夹具。表碳氟化合物液体的物理特性要求特性型型型沸点,~~×时表面张力Ncm时密度gml时密度gml介电强度Vμm残余物μgg外观透明、无色程序先进行细检漏(条件A)后进行粗检漏(条件B)。当有规定时应在检漏试验后进行测量。当规定作用于器件上的压力超过MEMS封装的承受能力时可采用其他关于压力、压力作用时间、有规则的停顿时间等组合条件。但应满足采用的露率、压力、时间关系并且在任何情况下作用于器件上的压力不得小于kPa(两个绝对大气压)。若按试验条件A进行批试验时(即在漏气监测器中每次放置一个以上的器件)只要出现拒收情况就认为该批失效。试验条件A,示踪气体氦(He)细检漏试验条件A是按表规定条件进行试验的一种固定方法它能保证为了检测出要求的“测量漏率”R所必须的试验灵敏度。试验条件A的程序将封装好的器件置于密封室内在规定的时间和压力下用的氦示踪气体对密封室加压。然后去除压力并把每个样品移到另一个或一些与抽真空系统和质谱检漏仪连接在一起的密封室。当对这个(或这些)密封室抽真空时原先压入样品内的示踪气体将会逸出由检漏仪检测从而得到测量漏率。从漏气试验加压密封室内取出的器件数量应受到下列条件的限制:最后一个器件的检漏试验应能在分钟内完成。试验条件A,固定方法采用下表按被试器件封装内腔体积规定的相应条件。表试验条件A的固定条件加压条件内腔体积cmR拒收极限值Pacms(He)压力kPa加压时间h最长停顿时间hV×V××V试验条件B碳氟化合物粗检漏试验试验条件B的程序将器件置于真空压力箱内把压力降到小于等于kPa至少保持分钟。对内腔体积大于等于cm的器件此步可省略。然后注入足够量的型检测用液体覆盖器件应在保持真空过程分钟之后但在真空被破坏前注入液体。然后按和规定对器件增压。增压阶段结束后去除压力将器件从真空压力箱内取出但仍需继续浸在检测液中秒以上。这种浸泡也可以是在另一个容器或贮存桶内。器件移出浸泡槽后应在空气中至少干燥分钟然后浸入的型指示用液体中。器件顶部应在指示器液体液面以下至少浸入深度cm。可以一次浸入一个器件或同时浸入一组器件。但在后一种情况下应保证能清楚的看到从被观察的一组器件中的任何一个器件冒出的气泡及其来源。应该在光源照射下从浸入时刻起在暗淡的不反射的黑色背景衬托下经放大观察器件至少秒。除非在这之前器件已被拒收。表试验条件B加压条件加压条件封装内腔体积cm压力kPa加压时间hVV器件应增压、或kPa加压时间由下式确定(增压时间不应小于试验时间):VtFtp,,cm式中:tp加压维持时间minV被侧器件内腔体积cmtF注入时间min。注入时间由下表给出。注入时间表F)min注入时间(t压力kPa失效判据从同一位置出来的一串明显气泡或两个以上大气泡应视作器件失效。温度循环目的本试验的目的是测定MEMS器件承受极端高温和极端低温的能力以及极端高温与极端低温交替变化对器件的影响。设备所用试验箱在加载最大负荷时应能为工作区提供和控制规定的温度。热容量和空气的流量必须能使工作区和负载满足规定的试验条件和计时要求。在试验期间用温度指示器或自动记录仪显示监测传感器的读数来连续监视最坏情况的负载温度。对样品的热传导应减至最小。程序样品的安放位置不应妨碍样品四周空气的流动。当需要特殊地安置样品时应作具体规定。样品应在规定条件下连续完成规定的循环次数。采用试验条件C至少循环次。一次循环包括第步至第步或适用的试验条件必须无中断地完成才能算作一次循环。在完成规定的试验循环总次数期间为了进行器件批的加载或去载或由于电源或设备故障允许中断试验。然而如果中断次数超过规定的循环总次数的,时不管任何理由试验必须重新从头开始进行。计时从热到冷或从冷到热的总转换时间不得超过lmin。当最坏情况负载温度是处在表规定的极值范围之内时可以转移负载但停留时间不得少于lmin负载应在min内达到规定的温度。检验最后一次循环完成之后不放大或放大不超过倍对样品标志进行检验放大,倍对外壳、引线或封口进行目检(但当本试验用于,的筛选时至少应放大(倍进行检验)。本项检验和任何补充规定的测量及检验都应在最后一次循环完成之后进行或者在包括本试验的某试验组、步或分组完成时进行。失效判据试验后任何规定的终点测量或检验不合格外壳、引线或封口的缺陷或损坏迹象或标志模糊均应视为失效。试验期间由于夹具或操作不当造成标志的损坏不应影响器件的接收。每步试验温度步骤时间minABCDEF第步冷第步热热冲击目的本试验的目的是确定MEMS器件在遭到温度剧变时的抵抗能力以及温度剧变产生的作用。设备所用的试验槽在加载最大负荷时应能为工作区提供并控制规定的温度。热容量和液体流量必须能使工作区和负载满足规定的试验条件和计时要求。在试验期间用指示仪或记录仪显示监视传感器的读数来连续监视最坏情况负载温度。按验证试验槽工作特性的要求验证最大负载条件和配置下的最坏情况负载温度。用于条件B和C的过碳氟化合物应满足表的规定。试验条件BC沸点时密度g,ml介电强度V,μm残余物μg,g外观透明、无色液体程序样品应放于试验槽中的合适位置使液体在样品周围的流动不应受到阻碍然后根据表的规定使负载进行条件B或其他规定的试验条件进行次循环。在完成规定试验总循环数期间为了进行器件批的加载或去载或由于电源或设备故障允许中断试验。然而对任何给定的试验若中断次数超过规定循环总次数的,时试验必须重新从头开始。计时从热到冷或从冷到热的总转换时间不得超过s。当最坏情况负载温度达到表规定的极值范围内时可以转换负载。负载应在min内达到规定的温度但停留时间不得少于min。检验最后一次循环完成之后不放大或放大不超过倍对样品标志进行外观检验放大,倍对外壳、引线或封口进行目检(当本试验用于,的筛选时至少应放大倍进行检验)。本项检验和任何补充规定的测量及检验都应在最后一次循环完成之后进行如果某试验组、步或分组包括本试验则在该试验组、步或分组完成之后进行。失效判据试验后任何规定的终点测量或检验不合格外壳、引线或封口的缺陷或损坏迹象或标志模糊均应视为失效。试验期间由于夹具或操作不当造成标志损坏不应影响器件的接收。试验条件ABC第温度步推荐液体水过碳氟化合物过碳氟化合物第温度步推荐液体水过碳氟化合物过碳氟化合物恒定加速度目的本试验用来确定恒定加速度对MEMS器件的影响。设计该加速度试验的目的是显示在冲击和振动试验时不一定能检测出的结构和机械类型的缺陷。它也可用作高应力试验来测定封装、内部金属化和引线系统、芯片或衬底的附着能力以及MEMS器件其他部件的机械强度极限值。如果确定了适当的应力强度该试验也可用作生产线的,筛选试验以便检测和剔除其结构部件的机械强度低于标称值的器件。设备恒定加速度试验采用能在规定时间内施加规定加速度的设备。程序器件应通过其外壳或通常的固定件固定好引线或电缆也应固定好。若无其他规定应在Xl、X、Y、Y、Z和Z的各个方向上对器件施加lmin规定数值的恒定加速度。对于内部元件的主基座平面与Y轴垂直的器件应把元件趋向于脱出其基座的方向规定为Y方向。若无其他规定应采用试验条件E。试验条件)应力强度(m,s(g)A(g)A(g)B(g)C(g)D(g)E(g)F(g)G(g)H(g)J机械冲击目的本试验的目的是测定MEMS器件是否能经受中等程度的冲击。这种冲击是由于装卸、运输或现场工作而造成突然受力或突然移动所产生的。这种类型的冲击可能破坏工作特性或引起类似于因振动太大而造成的损坏。若冲击是重复性的则破坏更严重。设备冲击试验设备应能按规定对器件本体施加,m,s峰值加速度的冲击脉冲其脉冲持续时间为,ms。冲击脉冲应是半正弦波其允许失真不大于规定的峰值加速度的,。利用截止频率为冲击基频脉冲的五倍以上的传感器(还可再加一个电子滤波器)来测量冲击脉冲。在上升时间的峰值加速度的,处与下降时间峰值加速度的,处之间测量脉冲持续时间。脉冲持续时间的绝对偏差应不大于规定宽度的ms或,。程序冲击试验设备应安装在牢固的试验台基上在使用前应把它调于水平位置。器件的外壳应牢牢地被固定。应采取措施防止由于设备的“弹跳”而产生的重复冲击。若无其他规定器件应在Xl、X、Y、Y、Z和Z的各个方向上承受五次脉冲冲击冲击脉冲的峰值加速度和脉冲持续时间在选择的试验条件中规定。对于其内部元件的主基座平面与Y轴垂直的器件把该元件趋向于脱出其基座的方向规定为Y方向。若无其他规定应采用试验条件B。试验条件峰值加速度(m,s)脉冲持续时间(ms)A(g)A(g)B(g)C(g)D(g)E(g)F(g)G(g)检查试验完成后在不放大或放大不超过倍情况下对标记进行外观检查在放大~倍下对外壳、引线或密封进行目检。应在完成了最后的循环或完成了包括本试验的一组试验、一系列试验或分组试验后进行此项检查和任何规定的附加测试。失效判据试验后任何按规定测量或检查中出现的不合格外壳、引线或密封的缺陷或损坏、或模糊的标记都应视作失效。由于试验期间夹具或处理引起的标记损坏不得视为器件失效。引线牢固性目的本方法提供了几种不同的试验来测定MEMS器件的引线(引出端)、焊接和密封的牢固性。试验条件A用于直线拉力负荷试验。试验条件B用于施加弯曲应力来测定引线、密封和引线涂层的牢固性而试验条件B则用于多次施加弯曲应力的情况主要用来测定引线在多次弯曲时的抗金属疲劳试验条件C规定对器件引线施加扭力以测定引线和密封的牢固性试验条件D用于施加剥离和拉牵的应力以测定无引线封装引出端的附着和镀涂性能。建议在本试验之后进行密封试验确定外加应力对密封和引线(引出端)的影响。设备按采用的试验条件的规定。适用于所有试验条件的一般程序器件应经受规定试验条件所确定的应力作用。若无其他规定应进行规定的终点测量和检查(预处理除外)。若无其他规定至少从三个器件中按LTPD抽样要求随机抽出规定数目的引线、引出端或焊点。试验条件A拉力目的本试验是为检查器件引线、焊接及密封的抗直线拉力能力而设计的。设备拉力试验要求采用适当的夹具和装置来固定器件并施加规定的力而不限制引线活动。也可采用等效的其他线性拉力试验设备。程序若无其他规定应在与引线或引出端的轴平行的方向上对被试验的每条引线或引出端无冲击地施加(N的拉力并至少保持s。应尽量在接近引线(引出端)的末端施加拉力。失效判据去掉应力后放大倍检查时在引线(引出端)与器件本体之间的断线、松散或相对移动都应视作失效。在引线牢固性试验后作为试验后测量进行密封试验时不应因有月牙形裂缝而使已通过了密封试验的器件视作拒收。试验条件B弯曲应力目的本试验是检查器件的引线、引线焊接和密封承受这种施加于引线和密封上的、在器件的实际使用和组装过程中完全可能出现的应力的能力或环境试验前用中等弯曲应力对引线进行预处理的能力。设备为了按规定的弯曲角度施加弯曲应力应有固定装置、夹钳、支架或其他适当的器具。程序每条受试的引线或引出端都要受到规定的足以使其弯曲的力。试验器件的任何数量的引线或全部引线可以同时弯曲。排列成行的引线可一次弯曲一行。每条引线应按下述周期进行弯曲即在一个方向上弯曲成规定的弧形再恢复到原来位置。全部弧形应在同一个平面上而又不会限制引线的活动。弯曲方向试验引线应在最易弯曲的方向上弯曲。如没有最易弯曲的方向可在任何方向弯曲。引线弯曲时不应接触其他引线。如这种接触是不可避免的试验引线就应朝与规定角度相反的方向弯曲再恢复到其原来的位置。成形引线的预处理程序当在成形条件下通常提供直引线时(包括双列直插式的引线)如果在引线涂覆后已经成形并且至少能使引线象规定的弯曲那样成为永久性的形变引线的成形工作就被看成是可接受的预处理。易弯曲的和半易弯曲的引线的试验程序(例如扁平封装和轴向引线金属外壳器件)易弯曲引线如果引线的截面系数(在最易弯曲的方向上)小于或等于截面为mm×mm的矩形引线的截面系数这样的引线应视为易弯曲的。直径小于或等于mm的的圆引线也应视作易弯曲的。易弯曲的引线应弯成弧形若无其他规定在沿引线离密封处mm(测得的弯曲角度至少应为。半易弯曲的引线如果引线的截面系数(在最易弯曲的方向上)大于截面为mm×m矩形引线的截面系数这样的引线应视为半易弯曲引线。在插装或其他应用时将被弯曲。直径大于mm~圆引线也视为半易弯曲引线。若无其他规定半易弯曲引线应弯曲成弧形在引线末端测得的弯曲角度至少为。双列直插式和针栅阵列式封装引线的试验程序双列直插式封装引线具有一个以上的截面系数插装时其引线通常并行排列而与封装底部成角。双列直插式封装引线应向内弯曲成一个角度这个角度应足以使引线保持的永久弯曲(即去掉应力后)对于外形和应从引线末端到第一弯曲处来测量弯曲角度。对于外形应从引线末端到安装平面测量弯曲角度。对针栅阵列式封装应使相对边上位于外侧一列的受试引线弯曲一个角度该角度足以使引线保持的永久弯曲(即去掉应力后)。弯曲角指与引线正常位置间的夹角近似从安装平面处测量。在初始弯曲结束后引线应恢复到近似为原来的位置。失效判据去掉应力后放大,倍检查时在引出端(引线)和器件本体之间的断线、松动或相对移动都被视为器件失效。当有规定时目检后应进行试验后测量。当上述程序用作其他试验的预处理时可在那个试验或试验顺序结束时进行这些测量。试验条件B引线疲劳目的本试验是为了检查引线抗金属疲劳的能力。设备为了按规定的角度重复施加弯曲应力应有固定装置、夹钳、支架或其他适当的器具。程序双列直插式封装的试验程序器件应按试验条件B承受三次循环。试验时被施加的弯曲应力使引线发生试验条件B中所规定的那样弯曲。扁平封装和金属管壳封装的试验程序。若无其他规定应把N的力加到被试的每条引线上使外壳作三次的弧形弯曲。对于已预镀覆和涂覆且其截面系数等于或小于截面积为mm×mm的矩形引线或直径为mm的圆形引线的截面系数的引线所加的力应是N。对一根引线的各次弯曲应在同一个方向、同一个平面上而又不妨碍引线的弯曲。一个弯曲过程应在s内完成。对矩形或带状引线的器件而言弧形平面应垂直于引线所在的平面。本试验不适用于试验时在引线密封处主要产生扭转力的外壳边上的引线。失效判据器件上断开的引线应被视为失效。当去掉应力后放大,倍检查时任何在引出端(引线)和器件本体之间出现的断线、松动和相对移动的器件都被视为失效。试验条件C无引线片式载体和同类封装器件的焊接区附着性能目的本试验是用以检查器件焊接区承受一定时间剥离(离析)应力作用的能力。设备本试验所用设备应具有倍的放大倍数合适的夹钳、夹具用以固定器件而且对焊到器件焊接区的引线能施加规定的应力,时间试验条件也可采用等效的线性拉力试验设备。程序若无其他规定剥离(离析)应力试验应从用于本试验的每个器件中随机选择的焊接区进行。而且若无其他规定应对至少从三个器件中选取的试验焊接区采用LTPD为的抽样方案。(失效判据去除拉力后当放大倍检验时包括构成焊接区界面在内的任何剥层现象都被认为是焊接区的附着失效。焊接区与器件脱离是一种明显的(无须光学放大)附着失效。导线与焊缝区分离(留下了完整的焊接区)或导线断裂被认为是一种试验程序的失效。扫频振动目的本试验的目的是测定在规定频率范围内振动对MEMS器件的影响。本试验是破坏性试验。设备本试验所需设备包括具有规定强度和所需扫频的振动装置以及试验后进行测量所必需的光学和电气设备。程序器件应牢固地安置在振动台上引线或电缆也应适当固定。使器件作等幅简谐振动其振幅两倍幅值为mm(,)或其峰值加速度按试验条件A、或C的规定(,g)。B在交越频率以下试验条件应由振幅大小控制在交越频率以上试验条件应由峰值加速度值控制。振动频率在~Hz范围内近似地按对数变化。应在不少于min的时间内经受从Hz到Hz再回到Hz的整个频率范围的作用。在X、Y和Z三个方向上各进行四次这样的循环(总共是次)从而整个周期运动所需的时间至少约为min(当有规定时对其壳体内所含部件或元件在振动时易移动和受到破坏的器件应用X射线检查方法或去掉封盖或打开外壳放大倍检查器件从而揭示是否遭到损坏或有错位。当本试验作为一个试验组或试验分组的一部分进行时在本试验结束后不必专门进行试验后测量或检查而可在该组或分组试验结束时进行一次。试验条件峰值加速度(m,s)A(g)B(g)C(g)检查试验后不放大或放大不超过倍对标记进行外观检查放大~倍对封装、引线或密封进行目检。此项检查和任何附加的特殊测试和检查应在最终周期完成后或在包括本试验的一个试验组、一个试验序列或一个试验分组完成后进行。失效判据本试验后不符合任何一项规定的测量或检查封装、引线或密封有缺陷或损坏的迹象或标记模糊等都应视为失效。由于试验时的操作和夹具引起的标志损坏不应成为器件拒收的原因。外部目检目的本试验的目的是检验已封装器件的工艺质量是否符合要求。本试验也可以用来检验已封装器件在装运、安装、调试过程中引起的损坏。本试验通常作为制造厂的出厂检验或用户的进货检查。设备试验中采用的设备应能证明器件是否符合应用要求包括能至少放大至倍的光学设备具有较大的可以接受的可见视场。程序放大倍数器件应在到倍的放大镜下进行检查并且可以对器件的任何表面部位进行到倍范围的检查。然而接收产品必须在倍的放大镜下通过所有外部目检判据的检查玻璃密封器件应在到倍的放大镜下检查。外来物质当有或怀疑有外来物质时应使器件受到压强约为kPa经过滤的气流吸出或吹出处理。失效判据如果呈现,条的任何一种情况器件应视为失效。外观a(标志不清晰、标志内容或位置不符合适用的规范。b(在密封周界上存在任何可见的涂层物质。c(任何不符合或缺少适用的采购文件要求的必要的特征。外来或错位的物质a(焊料或其他外来物质(即沾污物或侵蚀物)使引线间或焊区间的绝缘区域距离减少到小于引线间隔(对钎焊引线为焊区间距)的,。在任何情况下这个距离应不小于引线自身最小线宽。b(存在任何与引线和端点无关的外来物质。例如:镀涂物或其他附着的沉积物。结构缺陷a(在封装底盘安装表面上存在超出安装平面的突起物。b(封装表面存在其高度超过引线厚度(有引线封装)的任何突起物(不包括玻璃溢出物)。c(存在高于接触点(无引线封装)宽度,的盖板或帽上的突起物或延伸到焊区以外的突起物。d(在焊区之间、导热结构之间、密封环之间、导热结构和密封环之间以及帽盖与金属化城堡区之间存在非设计要求的金属化区使得它们之间的绝缘区小于焊区间距(无引线封装)的,。封装体或帽的涂层a(不合格涂层(剥落、起皮、起泡、凹坑或腐蚀)。没有这些缺陷的退色可以接收。b(由于破坏或是工艺造成的划伤、擦伤或凹槽使底层金属暴露。暴露的底盘是可以接收的。引线a(断线b(引线或端点没有固定或没位于正常位置树叉状或发生非要求的弯曲或扭曲使引线偏离正常引线平面以上。c(引线上的凹坑直径或凹槽的宽度超过引线宽度的,深度大于引线厚度的,(圆引线按直径计算)。d(引线上的毛刺高度超过引线厚度的,(圆引线按直径计算)。e(引线未对准焊区致使与焊区相接部分小于引线焊区面积的,。f(在金属化区(包括焊接引线镀层)内各引线之间或引线与其他封装金属化区之间的绝缘部分距离减少到小于引线间隔的,。在任何情况下这个距离绝不能小于引线自身最小轮廓线径。g(焊料使得安装平面与陶瓷壳体之间的引线尺寸大于引线厚度(圆引线按直径计算)设计值的倍。或使每个封装平面下的引线尺寸超过设计的最大值。h(划痕使得引线暴露底层金属的面积大于引线表面积的,。暴露引线截面的底层金属是可以接收的并不计算在,之内。封装体或帽(有引线器件)a(封装断开或封装有裂缝。表面划痕不应视为失效除非与本节所列的标志、涂层等判据相违背。b(表面上任何缺口在任何方向上的尺寸大于mm并且其深度超过封装有效单元厚度的,(例如:涂层、基座、管壁)。c(作为与钎焊引线相连导体的外引线金属化条上存在大于自身宽度,的孔隙。d(在任何多层陶瓷封装上有明显的裂缝、脱落、分离或空洞。封装体或帽(无引线器件)a(在受损表面(边缘或棱角)的任一方向上存在几何尺寸超过引出端间距,以上的陶瓷裂缝且其深度超过受损封装部件(例如盖、帽、基座、壁)厚度的,。b(在任一封装部件上存在裂缝、剥层、沟痕和空隙。c(城堡状区与焊区未对准。在城堡状区内的金属(除圆环处外)均应在焊区的可见延伸区域内。d(城堡状区图形与下述规定不符。城堡状区应呈凹状此凹形在封装边缘由贯穿所有城堡状区的陶瓷层三维空间所限定。城堡状区表面可能是无规则的此三维空间的尺寸分别为:()最小宽度大于封装引出端焊区宽度的,()最小深度大于城堡状区的最小宽度的,()长度等于设计值()最大宽度小于等于封装引出端的焊区宽度()最大深度小于等于城堡状区最大宽度的,。这些尺寸用以保证在极端的情况下城堡在封装边缘上不会呈现为平面状同时也不像是闭合的通孔。玻璃密封a(玻璃密封表面的裂缝。b(任一超过一个座标象限范围(即超过扇形或围绕引线的弧形)的单个圆弧状裂缝(或重迭的裂缝)它超过或正处于从引线到外壳距离一半以外的区域。c(径向裂缝如下:()裂缝不是起始在引线处。()三条或更多条超过引线到外壳距离一半的裂缝。()两条位于同一象限的超过引线到外壳距离一半的裂缝。d(任何深度大于玻璃弯月形区的劈形。玻璃弯月形区指围绕在引线或引出端的隆起玻璃区域。由于导致弯月形劈而暴露了底层金属是可以接收的但应保证暴露面积的深度不大于mm。e(表面气泡超过下列规定:()玻璃封装中的开口泡直径超过mm。()开口泡串或簇大于引腿到外壳距离的,。f(表面下气泡超过下列规定的:()大气泡或空洞的总面积超过玻璃封装面积的,。()大气泡或空洞大于引腿到外壳距离的,。()在一条直线上的两个气泡大于引腿到外壳距离的,。()互连的气泡大于引线到外壳距离的,。g(在引线处和(或)壳体界面存在非均匀性缺陷的凹形封装老炼试验目的老炼试验的目的是为了筛选或剔除那些勉强合格的器件。这些器件或是本身具有固有的缺陷或者其缺陷产生于制造工艺的控制不当这些缺陷会造成与时间和应力有关的失效。如不进行老炼试验这些有缺陷的器件在使用条件下会出现初期致命失效或早期寿命失效。因此筛选时用最大额定工作条件或在最大额定工作条件之上对MEMS加应力或施加能以相等的或更高的灵敏度揭示出随时间和应力变化的失效模式的等效筛选条件。设备应提供适当的插座和其他安装手段使得在规定结构中被试器件引出端有可靠的电连接。安装的方式应设计成器件内部的耗热不会通过传导方式消散只能在规定的环境温度或在该温度之上通过器件引出端和必要的电连接散热。设备应能在被试器件引出端上提供规定的偏置并且若有规定时还应监测输入激励或输出响应。电源和电流调节电阻器应至少能在整个试验过程中只要其电源电压、环境温度等条件的变化在常规范围内均能保持规定的工作条件。试验设备最好应安排成使器件只出现自然对流冷却。试验条件导致明显的功率耗散时试验设备应设置成使每个器件产生近似平均的功率耗散而不管器件是单独试验还是成组试验。试验电路不必补偿单个器件特性的正常变化但是应设置得使一组中的某个器件失效和出现异常时(即开路、短路等)不致对该组中其他器件的试验效果产生不良影响。程序MEMS器件应按规定时间和温度进行规定条件的老炼筛选试验。若无其他规定在表确定的等效时间和温度下进行。表中对不同器件等级规定的温度时间组合关系均可作为试验条件。试验前确定的试验条件(时间和温度)应予以记录并贯穿整个试验过程。老炼前和老炼后测量应按规定进行。不同器件等级规定的温度时间对应关系表最小温度()最小时间(h)(试验条件试验温度老炼试验环境温度应至少为。承制方可以增加试验温度并按表减少相应的试验时间。因为在正常情况下芯片温将明显地高于环境温度所以应设计成使试验和工作时的最高额定芯片温度不超过规定值。规定的试验温度是在烘箱中工作区域内所有器件受到的最低环境温度。为了保证这一条件的实现可对烘箱的内部结构、负荷、控制或监测仪器的放置位置、空气或烘箱内其他气体的流动或液体媒质等各方面作必要的调整。在校准时应使烘箱处于满负荷但不加功率的状态调节指示器的传感器探头位置使其位于烘箱内工作区域的最低温度处。大功率MEMS器件的试验温度不管器件的功率大小所有器件都应能在其最大额定工作温度下进行老炼或寿命试验。对于采用环境温度TA表示最高工作温度的器件试验温度按表的规定。对于采用外壳温度Tc表示其最高工作温度的器件如果环境温度会引起芯片温度超过老炼和寿命试验时的环境工作温度可从减少到某一个温度值而无需改变试验时间。应能证明在该环境温度下芯片在到之间Tc等于或大于。应有一组数据表明减小环境温度的合理性。多芯片模块器件的试验温度应按表的规定确定老炼时的环境温度或壳温。但按壳温老炼时至少应采用对该器件确定的最高工作壳温(Tc)。器件老炼时应采用详细规范中规定的最高工作温度和负载条件。由于在正常情况下壳温和芯片温度明显高于环境温度应该改进结构使温度不要超过详细规范中规定的最高额定芯片温度和聚合材料固化温度。若未规定最高结温则取为。不应采用加速老炼试验。试验时烘箱中所有器件的环境温度或壳温的最低值不得小于规定的试验温度。为了保证这一条件的实现可对烘箱的内部结构、负荷、控制或监测仪器的放置位置烘箱内空气或其他气体的流动或液体媒质等各方面作必要的调整。测量当有规定时或制造厂自愿时应在施加老炼试验条件前进行老炼前测试。老炼后测试应在器件移出规定老炼试验条件后(即撤除加温或去除偏置)的h内完成。测试应包括全部参数测试和作为中间(老炼后)测试的一部分而规定了变化量极限的全部参数。当采用时应根据这些测试确定参数的变化量极限是否超过了允许的范围。无论对于常规老炼试验或加速老炼试验如果不能在h内完成这些测试那么在作老炼后的测试之前器件应按原先的老炼条件和原来采用的温度至少再作老炼。老炼后的冷却去除偏置前所有器件应冷却到与室温下器件加功率时处于稳定情况下的温度之间差别不超过。为了把器件转移到与作老炼试验的工作室不在一处的冷却位置而中断偏置不超过lmin不应看作去除了偏置(在冷却位置处加的偏置应与老炼时的偏置相同)。在重新加热器件之前应完成全部的参数测试。试验装置监测应在试验开始和结束时在试验温度下监测试验装置从而证实全部器件已按规定要求施加应力。以下是至少应进行的监测程序:a(器件插座在开始使用插座时和以后至多每隔六个月(每六个月一次或在六个月期间未使用则使用前都应检查每块试验板或试验座以验证连接点的连续性从而保证能把偏置电压和信号加到每个插座上。试验板上用于稳定被试器件工作的电容器和电阻器也应按此方式验证以确信它们能起到其应起的作用(即不应出现开路或短路)。除了这种最初的和定期性的验证外不必在每次试验时逐个检查器件或器件插座但在使用每块试验板前应采用随机抽样技术这就可以保证与被试器件电连接的正确性和连续性。b(试验板或试验座的连接件将器件装入试验板、插入烘箱并升温到温度至少为(若小于则为规定试验温度)的烘箱后应至少在每块试验板或试验座的一个位置上验证要求的试验信号从而保证在采用的试验布局中所使用的每条连线或接插件均已正确施加了规定的应力并具有连续性。为进行这种验证允许打开烘箱不超过min。c(在试验过程结束时使器件降低温度和撤除试验条件前应重复上述b条关于信号的验证过程。若在规定进行的试验时间内的某段时间出现了导致必要的试验应力未能加到器件上去的失效或接触开路时应延长试验时间以保证实际受应力作用的时间满足规定的最少总试验时间要求。若在老炼的最后h内在温度未变的情况下偏置中断的总时间超过了rain就要求从最后一次偏置中断时刻算起至少再作h不中断的老炼。倒装片拉脱试验目的本试验的目的是测量MEMS芯片与衬底之间以面键合结构进行连接的衬底之间的内部键合强度。设备本试验所需的设备包括对键合施加规定应力的合适设备。应由能测量两倍于规定的最低极限应力值的设备来提供外加应力的校准测量和指示其准确度为,或N取其大者。程序应按下列步骤进行试验。应统计所有的芯片拉力且应遵循规定的抽样、接收和附加的样品制备(适用时)。由规定的LTPD确定待试验芯片数目(而不是键合数)。应该在采用能提高视在键合强度的密封剂、粘合剂或其他材料之前进行所有的拉力试验。试验经校准的拉脱设备应包括拉开棒(例如镍铬合金线或可伐线电流环)其截面积为芯片表面积的,(,,)。该棒应与倒装芯片背面上的硬调节粘结剂材料相连接(例如具有高拉力强度的腈基丙烯酸酯或其他粘结剂)。衬底应刚性地安装在拉开夹具中拉开棒应与粘结剂材料形成坚固的机械连接。应以N,s的速率在芯片表面法线方向,范围内无冲击地拉芯片直到芯片与衬底分离当出现失效时应记录失效时的力、计算的力极限和失效类型。失效判据使倒装芯片产生分离的最小外加应力应按下式计算小于其值则视为失效:N,cm×平均焊料凸点面积(cm)×焊料凸点数失效类型失效类别如下所示。当规定时应记录获得分离所需的应力和分离或失效的主要类别。a(硅断裂b(从芯片上拉起的金属化c(键合晶片界面的分离d(键合区内的失效e(键合衬底界面的分离f(从衬底上拉起的金属化g(衬底断裂寿命,可靠性试验目的本试验的目的是确定:()寿命分布()寿命加速特性()失效率(入)水平。设备应提供适当的插座和其他安装手段使得在规定结构中被试器件引出端有可靠的电连接。安装的方式应设计成器件内部的耗热不会通过传导方式消散只能在规定的环境温度或在该温度之上通过器件引出端和必要的电连接散热。设备应能在被试器件引出端上提供规定的偏置并且若有规定时还应监测输入激励。电源和电流调节电阻器应至少能在整个试验过程中只要其电源电压、环境温度等条件的变化在常规范围内均能保持规定的工作条件。试验设备最好应安排成使器件只出现自然对流冷却。试验条件导致明显的功率耗散时试验设备应设置成使每个器件产生近似平均的功率耗散而不管器件是单独试验还是成组试验。试验电路不必补偿单个器件特性的正常变化但是应设置得使一组中的某个器件失效和出现异常时(即开路、短路等)不致对该组中其他器件的试验效果产生不良影响。程序MEMS器件应在规定时间内和试验温度下按规定的试验条件并应在规定的中间和终点进行测量。试验前选择的试验条件、时间、样本大小和温度应记录下来并在整个试验中都应遵照执行。试验条件时间RHRH测量测量应分为以下两类:A类一初始和最终测量B类一中间测量若无其他规定全部测量应在器件移出规定试验条件后的h内完成测量内容包括:A类一全部规定的终点测量B类一选择的临界参数A类测量在试验开始时和最终测量时进行。B类中间测量对h试验应在第、、、、、、、h进行对h试验时还应在第和h进行。寿命试验后的测量在进行了寿命试验条件后测量器件时器件应在去掉偏置前冷却到室温。重新加热器件之前应完成全部规定的测量。试验装置监视应在试验开始和结束时在试验温度下监视试验装置以保证全部器件按规定施加应力。以下是至少应进行的监视程序:a(器件插座在开始使用时和以后至少每隔个月都应检查每块试验板或座以证明接触点的连续性从而保证偏置电源和信号信息加到每个插座上。除了这种最初的和周期验证外不必逐个检查各个器件或器件插座但每次使用前应采用随机抽样检查以保证被试器件电连接的正确性和连续性。b(试验板或座的连接件当试验板上载有器件并插入至少或规定试验温度(取较小值)的烘箱中后应在每块试验板或座中至少一个位置上验证各个所需的试验信号从而保证对在适当的试验装置中使用的每条连线或每个接插件均能正确地施加规定的应力及其具有连续性。这种验证可通过打开烘箱最多不超过min来进行。c(在试验周期结束去除对器件的温度和试验条件作用前应重复上述b的电压和信号条件的验证过程。在规定的试验时间周期中的某段时间内当出现失去了必要的试验应力的失效或接触开路时应延长试验时间以保证实际受应力作用时间满足总试验时间的要求o试验抽样试验抽样应按规定。在给定的试验温度内所用器件应不得少于个。试验结果分析寿命分布分析对每次试验失效进行认真的失效分析就可提高试验结果分析的有效性。用失效机理的相似性如与相关表面、金属迁移、金属间化合物结构的形成等对失效进行分组。应记录一组中每个失效情况随时间的变化过程。它包括单个失效的时间及计算出来的有关累计百分失效率。为了有利于从小样本寿命试验估算分布参数数据应按累计分布绘制曲线。因为MEMS寿命分布表现为对数正态分布。在组合图形中的“反常”和“主要”的点群与预期的双峰分布点将以S形出现。数据分析中所必须的分布参数值中值寿命和σ计算如下:失效的时间,,ln失效的时间应进行单个的“反常”和“主要”的点群的独立分析和进行拟合良好性检定来检验分布。寿命加速分析进行寿命可靠性表征要求在相同的额定电压条件下对几个温湿度应力建立失效分布。这些失效分布必须代表同样的失效机理。可以在规定图上画出“反常”和“主要”的点群中值寿命时间来确定在所希望的使用温度下的等效寿命时间。失效率计算MEMS的失效是对数正态分布所以失效率随时间而变化。在任何给定时间的失效率可采用规定图计算该图是根据对数正态分布使用数学方法计算瞬态失效率的归一化表示

  施工合同亦称“工程合同”或“包工合同”。指发包方 (建设单位) 和承包方 (施工单位) 为完成商定的建筑安装工程施工任务,明确相互之间权利、义务关系的书面协议。对于我们日常接触比较多,且需求量比较大的施工合同,这些模板也许能够帮到你。

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