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IFWS2017看点:SiCGaN电力电子封装、模块及可靠性研究进展

发布时间:2019-06-06 09:58 来源:未知 编辑:admin

  原标题:IFWS2017看点:SiC/GaN电力电子封装、模块及可靠性研究进展

  宽禁带半导体电力电子器件近年来不断获得技术的突破,具备广泛的市场应用前景。这类器件具备更高的效率、更高的开关频率和更高的工作温度等优势,在新能源发电、电动汽车、充电桩、电力转换及管理系统和工业电机领域等已展现出其巨大的应用潜力。宽禁带半导体电力电子器件的封装及可靠性技术是推动其快速市场化并广泛应用的关键。

  2017年11月1-3日,在科技部、发改委、工信部及北京政府等相关部门大力支持下,由第三代半导体产业技术创新战略联盟和北京市顺义区人民政府主办的2017国际第三代半导体论坛(IFWS 2017)将在北京·顺义·首都机场希尔顿酒店隆重举行。并与SSL国际系列论坛在中国地区的年度盛会--第十四届中国国际半导体照明论坛同期同地举行。

  作为论坛六大技术分会之一,SiC/GaN电力电子封装、模块及可靠性分会主题涵盖宽禁带半导体电力电子器件封装设计、工艺、关键材料与可靠性评价等方面。邀请国内外知名与家参加本次会议,充分展示宽禁带半导体电力电子器件封装技术及其可靠性评价的最新进展。

  其中,天津大学教授陆国权和荷兰代尔夫特理工大学教授张国旗将领衔坐镇共同担任分会主席。陆国权教授曾获中国国家自然基金“海外杰出青年学者”称号,教育部“长江学者”讲座教授,国家“千人计划”高层次人才,国家863项目首席专家,天津市重大科技专项首席科学家。曾获美国国家自然科学基金Career奖,成功在功率半导体器件和模块中实现倒装焊、球栅阵列和旋涡阵列连接,双面冷却封装,平面化封装等专利技术。他是纳米银焊膏的专利发明人,曾获得美国R&D 100大奖。迄今他已先后在电子封装期刊及会议发表学术论文逾220篇,其中100余篇被SCI收录。授权美国发明专利4项,公开发明专利1项,授权中国发明专利6项,公开中国发明专利13项。

  张国旗教授是国家“千人计划”特聘专家, IEEE Fellow,国家第三代半导体联盟专家委员会成员, 同时担任IEEE “国际宽禁带半导体技术路线图委员会”秘书长等职。曾任飞利浦半导体Fellow及技术战略高级总监,荷兰国家微/纳米电子、嵌入系统和高科技系统战略创新规划学术委员会共同主席, 荷兰国家材料创新规划指导委员会成员, 北京大学的客座教授。已发表论文超过300篇,出版专著和合著超过20部。

  除了两位重量级专家坐镇以外,还有强大的委员和特邀报告人参与。分会委员于坤山,第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长,长期从事电力电子,微电子,电能质量等领域技术研究、产品研发、工程应用、标准化等工作。在电力系统电能质量、定制电力、FACTS等方面取得了有影响力的成果,获国家科技进步二、三等奖各一项,省部级一、二等奖各2 项,三等奖一项。目前主要从事第三代半导体产业链建设及其系统解决方案、知识产权、标准化和平台技术研究,探索第三代半导体技术与能源互联网建设相结合的途径。

  分会委员赵争鸣,清华大学教授,电力系统国家重点实验室副主任。主要研究方向包括大功率高压电力电子技术、光伏并网发电及其应用、电机及其控制、无线电能传输等。曾先后负责承担完成多项国家攻关课题、国家“863”课题、国家自然科学基金重点和面上课题以及多项大型横向科研课题和国际合作项目。在国际学术刊物上、国际会议以及国内核心刊物上发表360多篇有关学术论文,其中EI源刊200余篇,SCI源刊30余篇;编著和参编8本科技书籍。已获授权国家发明专利27项、软件著作权15项。先后获得省部级科技成果奖10余项,多次获得国际学术会议优秀论文奖。

  分会委员柏松,中国电子科技集团公司第五十五研究所研究员,一直致力于SiC器件的研发,在国内首先实现了击穿电压超过10kV的SiC肖特基二极管和SiC PiN二极管,在高压SiC JFET和SiC MOSFET技术开发方面也取得了重要成果。负责承担和完成多项国家科技重大专项、高技术研究发展计划等重大科研项目,申请发明专利17项,其中授权8项,曾获国防科技进步一等奖一项。

  分会委员陶国桥,荷兰安谱隆有限责任公司晶圆级可靠性专家,曾先后就职于荷兰飞利浦半导体/恩智浦半导体、飞利浦照明,专注于照明用的LED器件,模块及系统的可靠性以及先进的嵌入式Non-Volatile Memory技术。他是Philips/NXP 2T-FNFN嵌入式快闪记忆体器件(flash device)的发明人。该技术被广泛应用于ID产品,包括银行卡、身份证、电子护照、交通卡,及NFC的应用芯片。他发表过70多篇论文,多次参与组织过业界顶级的学术会议――IEEE-IRPS(2005-2007)、IEEE-IIRW(2009)、IEEE-IPFA(2005)等。

  分会委员王德君,大连理工大学教授,曾先后服务于北京大学、名古屋大学和奈良先端科学技术大学院大学,研究方向包括半导体SiC、GaN、石墨烯材料与器件科学,功率芯片、传感器芯片设计制造及应用,和集成电路技术。

  同时,分会还特别邀请了多位重量级报告,带来国内外最新研究成果。其中,特邀报告人美国马里兰大学机械工程系教授F. Patrick MCCLUSKEY,曾主导研究关于微电子系统的计算机辅助风险评估、用于高温和高功率应用的电子封装设计、及将商业组件插入高可靠性应用程序的课题。目前研究聚焦于高温大功率电子包装、材料和可靠性。

  特邀报告人日本大阪大学教授菅沼克昭,长期从事无铅焊接、导电胶、电力电子包装和印刷电子方面的研究,并出版了多部无铅焊接和印刷电子相关书籍。

  还有来自中国科学院、桂林电子科技大学、大连理工大学、天津大学的众多强势研究力量也将带来精彩分享。届时会上将全面呈现超宽带半导体及其它新型宽禁带半导体材料与器件研究应用的最新进展。

  第三代半导体材料广阔的应用前景及庞大的潜在市场,决定了其受火热程度, 11月1日,我们北京见!

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